Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1310,LXHF
RN1310,LXHF

RN1310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

datasheet_en_20231102.pdf?did=18781
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.09 грн
6000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased.

Інші пропозиції RN1310,LXHF за ціною від 25.40 грн до 25.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1310,LXHF RN1310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231102.pdf?did=18781 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310,LXHF RN1310,LXHF Toshiba RN1310_datasheet_en_20231102-1760603.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN BRT, 4.7kO, 50V, 0.1A (SOT-323)
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310,LXHF datasheet_en_20231102.pdf?did=18781
RN1310,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310,LXHF RN1310_datasheet_en_20231102-1760603.pdf
RN1310,LXHF
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN BRT, 4.7kO, 50V, 0.1A (SOT-323)
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.