Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1313,LF
RN1313,LF

RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18783&prodName=RN1313 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: USM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: USM, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN1313,LF за ціною від 2.50 грн до 11.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1313,LF RN1313,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18783&prodName=RN1313 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: USM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
47+6.76 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1313,LF RN1313,LF Виробник : Toshiba RN1313_datasheet_en_20210824-1316134.pdf Digital Transistors BRT 0.1A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.