Продукція > TOSHIBA > RN1416,LF
RN1416,LF

RN1416,LF Toshiba

RN1416_datasheet_en_20140301-1916055.pdf Виробник: Toshiba
Digital Transistors S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 6697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.42 грн
47+7.28 грн
100+3.16 грн
1000+2.72 грн
3000+2.13 грн
9000+1.47 грн
24000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1416,LF Toshiba

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1416,LF за ціною від 2.66 грн до 11.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1416,LF RN1416,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
43+7.20 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LF RN1416,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.