RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1901FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V.

Інші пропозиції RN1901FETE85LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1901FETE85LF RN1901FETE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1901FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1901FETE85LF RN1901FETE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1901FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1901FETE85LF RN1901FETE85LF Виробник : Toshiba docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1901FE Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товар відсутній