Технічний опис RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V.
Інші пропозиції RN1901FETE85LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 16104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
| RN1901FETE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1901FETE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)