Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1911FE,LF(CT
RN1911FE,LF(CT

RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
27+11.45 грн
100+5.57 грн
500+4.36 грн
1000+3.03 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO).

Інші пропозиції RN1911FE,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.