Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2101MFV,L3F(CT

RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2101MFV,L3F(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 12821702-3
Price: 321.32 UAH
Availability: InStock

docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
29+	11.08 грн
45+	6.78 грн
100+	4.19 грн
500+	2.85 грн
1000+	2.50 грн
2000+	2.20 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2101MFV,L3F(CT

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN2101MFV,L3F(CT	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RN2101MFV,L3F(CT	Виробник : Toshiba	Digital Transistors 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.