Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2407,LF
RN2407,LF

RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
33+9.47 грн
100+5.09 грн
500+3.75 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN2407,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
RN2407,LF RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
RN2407,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.