Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2603(TE85L,F)
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN2601-06.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.90 грн
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SM6, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN2603(TE85L,F) за ціною від 3.46 грн до 27.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2603(TE85L,F) RN2603(TE85L,F) Виробник : Toshiba toscs10211_1-2283537.pdf Digital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.54 грн
25+14.04 грн
100+6.33 грн
1000+5.37 грн
3000+4.41 грн
9000+3.53 грн
24000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F) RN2603(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.32 грн
100+10.25 грн
500+7.15 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F)
Код товару: 173996
Додати до обраних Обраний товар

RN2601-06.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.