Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2708JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4516409-3
Price: 341.82 UAH
Availability: InStock

RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	37.98 грн
12+	27.12 грн
100+	15.37 грн
500+	9.56 грн
1000+	7.33 грн
2000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV, Part Status: Active, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2708JE(TE85L,F)

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN2708JE(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Part Status: Active Supplier Device Package: ESV Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-553 Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RN2708JE(TE85L,F)	Виробник : Toshiba	Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.