RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms.

Інші пропозиції RN2709JE(TE85L,F) за ціною від 6.19 грн до 37.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2709JE(TE85L,F) RN2709JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.18 грн
12+26.36 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
2000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.