RN2906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 Q1BSR=4.7KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 5.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 Q1BSR=4.7KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RN2906FE,LXHF(CT за ціною від 5.89 грн до 28.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN2906FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 Q1BSR=4.7KOH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RN2906FE,LXHF(CT | Toshiba |
Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=4.7kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563 |
на замовлення 3888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN2906FE,LXHF(CT |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 Q1BSR=4.7KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 Q1BSR=4.7KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 18+ | 16.83 грн |
| 100+ | 10.58 грн |
| 500+ | 7.40 грн |
| 1000+ | 6.58 грн |
| 2000+ | 5.89 грн |
| RN2906FE,LXHF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=4.7kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=4.7kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)