RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2909FE(TE85L,F) за ціною від 4.48 грн до 22.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2909FE(TE85L,F) RN2909FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.15 грн
24+13.10 грн
100+8.20 грн
500+5.68 грн
1000+5.03 грн
2000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.