Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2909FE(TE85L,F)
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN2909FE(TE85L,F) за ціною від 3.61 грн до 22.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN2909FE(TE85L,F) RN2909FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.39 грн
19+ 14.95 грн
100+ 7.55 грн
500+ 5.77 грн
1000+ 4.28 грн
2000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2909FE(TE85L,F) RN2909FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2909FE_datasheet_en_20210818-1150856.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
товар відсутній