Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2971(TE85L,F)
RN2971(TE85L,F)

RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN2970%2C71.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.78 грн
24+12.88 грн
100+8.65 грн
500+6.25 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6, Supplier Device Package: US6, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active.

Інші пропозиції RN2971(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2971(TE85L,F) RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970%2C71.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2971(TE85L,F) RN2971(TE85L,F) Toshiba RN2971_datasheet_en_20191118-1608984.pdf Digital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2971(TE85L,F) RN2970%2C71.pdf
RN2971(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2971(TE85L,F) RN2971_datasheet_en_20191118-1608984.pdf
RN2971(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.