RQ1A070APTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.77 грн |
| 10+ | 56.05 грн |
| 50+ | 41.64 грн |
| 100+ | 34.70 грн |
| 500+ | 27.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ1A070APTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ).
Інші пропозиції RQ1A070APTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ1A070APTR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 7A |
на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RQ1A070APTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 7A
MOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 7A
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)