Продукція > ROHM > RQ1A070ZPHZGTR
RQ1A070ZPHZGTR

RQ1A070ZPHZGTR ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.46 грн
500+46.02 грн
1000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ1A070ZPHZGTR ROHM

Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RQ1A070ZPHZGTR за ціною від 35.89 грн до 82.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR Виробник : ROHM Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.11 грн
13+66.11 грн
100+51.46 грн
500+46.02 грн
1000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs TSMT8 P CHAN 12V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.97 грн
10+67.44 грн
100+45.65 грн
500+43.96 грн
3000+37.36 грн
6000+36.62 грн
9000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR Виробник : Rohm Semiconductor Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR Виробник : Rohm Semiconductor Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.