Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ1A070ZPHZGTR
RQ1A070ZPHZGTR

RQ1A070ZPHZGTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ1A070ZPHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.57 грн
10+71.63 грн
50+53.62 грн
100+44.86 грн
500+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ1A070ZPHZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

Інші пропозиції RQ1A070ZPHZGTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ1A070ZPHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs TSMT8 P-CH 12V 7A
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR ROHM rq1a070zphzgtr-e.pdf Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR ROHM rq1a070zphzgtr-e.pdf Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR datasheet?p=RQ1A070ZPHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RQ1A070ZPHZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 P-CH 12V 7A
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR rq1a070zphzgtr-e.pdf
RQ1A070ZPHZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR rq1a070zphzgtr-e.pdf
RQ1A070ZPHZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.