RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor


rq1c065untr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
338+34.48 грн
352+ 33.1 грн
500+ 31.9 грн
1000+ 29.76 грн
2500+ 26.74 грн
Мінімальне замовлення: 338
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RQ1C065UNTR за ціною від 12.36 грн до 46.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ1C065UNTR RQ1C065UNTR Виробник : Rohm Semiconductor rq1c065untr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
338+34.48 грн
352+ 33.1 грн
500+ 31.9 грн
Мінімальне замовлення: 338
RQ1C065UNTR RQ1C065UNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.55 грн
10+ 36.53 грн
100+ 27.28 грн
500+ 20.12 грн
1000+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C065UNTR RQ1C065UNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.89 грн
10+ 39.57 грн
100+ 25.71 грн
500+ 20.19 грн
1000+ 15.61 грн
3000+ 13.29 грн
9000+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C065UNTR datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1C065UNTR RQ1C065UNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній