
RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
338+ | 36.22 грн |
352+ | 34.77 грн |
500+ | 33.51 грн |
1000+ | 31.26 грн |
2500+ | 28.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RQ1C065UNTR за ціною від 14.04 грн до 53.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RQ1C065UNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RQ1C065UNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RQ1C065UNTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RQ1C065UNTR |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
RQ1C065UNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |