
RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
398+ | 30.62 грн |
435+ | 28.04 грн |
448+ | 27.21 грн |
500+ | 25.24 грн |
1000+ | 22.54 грн |
3000+ | 20.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RQ1C075UNTR за ціною від 16.91 грн до 54.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RQ1C075UNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RQ1C075UNTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RQ1C075UNTR |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
RQ1C075UNTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
RQ1C075UNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
RQ1C075UNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |