Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ1E050RPTR
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.76 грн
10+53.95 грн
100+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Інші пропозиції RQ1E050RPTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR ROHM datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR ROHM datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTR datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1E050RPTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTR datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1E050RPTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTR datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1E050RPTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.