Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ1E070RPHZGTR
RQ1E070RPHZGTR

RQ1E070RPHZGTR ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 P CHAN 30V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ1E070RPHZGTR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.

Інші пропозиції RQ1E070RPHZGTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ1E070RPHZGTR RQ1E070RPHZGTR ROHM Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTR
RQ1E070RPHZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.