RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RQ1E070RPTR за ціною від 30.51 грн до 91.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RQ1E070RPTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RQ1E070RPTR | ROHM Semiconductor |
MOSFET MID PWR MOSFET SER |
на замовлення 6245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RQ1E070RPTR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RQ1E070RPTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.31 грн |
| 10+ | 76.51 грн |
| 100+ | 59.65 грн |
| 500+ | 46.24 грн |
| 1000+ | 36.51 грн |
| RQ1E070RPTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET MID PWR MOSFET SER
MOSFET MID PWR MOSFET SER
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.01 грн |
| 10+ | 74.55 грн |
| 100+ | 49.29 грн |
| 500+ | 41.77 грн |
| 1000+ | 34.10 грн |
| 3000+ | 32.03 грн |
| 6000+ | 30.51 грн |