на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.80 грн |
| 10+ | 66.59 грн |
| 100+ | 45.06 грн |
| 500+ | 38.24 грн |
| 1000+ | 31.12 грн |
| 3000+ | 29.21 грн |
| 6000+ | 27.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ1E100XNTR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RQ1E100XNTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ1E100XNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |