Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3C150BCTB
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3C150BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.51 грн
6000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RQ3C150BCTB за ціною від 30.60 грн до 90.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3C150BCTB RQ3C150BCTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3C150BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
на замовлення 8825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.33 грн
10+69.58 грн
100+48.67 грн
500+38.50 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3C150BCTB RQ3C150BCTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3C150BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.98 грн
10+73.69 грн
100+49.88 грн
500+40.02 грн
1000+34.43 грн
3000+32.15 грн
6000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3C150BCTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3C150BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ3C150BCTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.