Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E070BNTB
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor

rq3e070bntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E070BNTB за ціною від 8.13 грн до 30.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ3E070BNTB RQ3E070BNTB Виробник : Rohm Semiconductor rq3e070bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
13+ 22.97 грн
100+ 13.76 грн
500+ 11.96 грн
1000+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ3E070BNTB RQ3E070BNTB Виробник : ROHM Semiconductor rq3e070bntb-e-1800029.pdf MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ3E070BNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq3e070bntb-e.pdf RQ3E070BNTB SMD N channel transistors
товар відсутній