Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E075ATTB
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor

datasheet?p=RQ3E075AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -18A Si MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.39 грн
10+62.73 грн
100+42.39 грн
500+35.51 грн
1000+34.04 грн
3000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E075ATTB за ціною від 34.31 грн до 99.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E075ATTB RQ3E075ATTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E075AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.00 грн
10+71.15 грн
100+50.61 грн
500+37.52 грн
1000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E075ATTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E075AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ3E075ATTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E075ATTB RQ3E075ATTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E075AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.