Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E080BNTB
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.49 грн
6000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 14W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 14W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm.

Інші пропозиції RQ3E080BNTB за ціною від 7.39 грн до 68.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB ROHM datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.36 грн
500+19.07 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 14503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.45 грн
12+26.60 грн
100+13.32 грн
1000+9.53 грн
3000+8.35 грн
9000+7.52 грн
24000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.22 грн
100+17.45 грн
500+12.40 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB ROHM datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.38 грн
25+33.10 грн
100+23.36 грн
500+19.07 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+23.36 грн
500+19.07 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 14503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.45 грн
12+26.60 грн
100+13.32 грн
1000+9.53 грн
3000+8.35 грн
9000+7.52 грн
24000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
11+27.22 грн
100+17.45 грн
500+12.40 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+68.38 грн
25+33.10 грн
100+23.36 грн
500+19.07 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.