Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E100BNTB
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor

rq3e100bntb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ3E100BNTB за ціною від 11.70 грн до 48.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ3E100BNTB RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor rq3e100bntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
696+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor rq3e100bntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.76 грн
645+21.94 грн
1000+21.22 грн
2500+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor rq3e100bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.04 грн
11+28.58 грн
100+18.31 грн
500+13.04 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB RQ3E100BNTB ROHM Semiconductor rq3e100bntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 105414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB RQ3E100BNTB ROHM ROHM-S-A0009370623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB rq3e100bntb-e.pdf
RQ3E100BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
696+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB rq3e100bntb-e.pdf
RQ3E100BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
622+22.76 грн
645+21.94 грн
1000+21.22 грн
2500+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB rq3e100bntb-e.pdf
RQ3E100BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.04 грн
11+28.58 грн
100+18.31 грн
500+13.04 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB rq3e100bntb-e.pdf
RQ3E100BNTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 105414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB ROHM-S-A0009370623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RQ3E100BNTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.