Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E100BNTB1
RQ3E100BNTB1

RQ3E100BNTB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RQ3E100BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.98 грн
10+80.71 грн
100+54.73 грн
500+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E100BNTB1 ROHM Semiconductor

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E100BNTB1 за ціною від 33.22 грн до 92.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E100BNTB1 RQ3E100BNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E100BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.31 грн
10+62.61 грн
100+48.74 грн
500+36.40 грн
1000+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB1 RQ3E100BNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E100BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.