RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 766+ | 18.47 грн |
| 795+ | 17.81 грн |
| 1000+ | 17.23 грн |
| 2500+ | 16.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 21, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 15, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 15, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RQ3E100GNTB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor |
 MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RQ3E100GNTB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)