RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 766+ | 19.09 грн |
| 795+ | 18.41 грн |
| 1000+ | 17.80 грн |
| 2500+ | 16.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
766 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 21, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 15, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 15, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RQ3E100GNTB за ціною від 17.45 грн до 39.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor |
 MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 199 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RQ3E100GNTB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 199 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.84 грн |
| 10+ | 34.15 грн |
| 100+ | 22.20 грн |
| 500+ | 17.45 грн |