Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E110AJTB
RQ3E110AJTB

RQ3E110AJTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.06 грн
6000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E110AJTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E110AJTB за ціною від 17.58 грн до 59.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E110AJTB RQ3E110AJTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 13368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+44.91 грн
100+31.08 грн
500+24.37 грн
1000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E110AJTB RQ3E110AJTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs RQ3E110AJ is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching application.
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.57 грн
10+48.05 грн
100+28.84 грн
500+22.95 грн
1000+21.04 грн
3000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E110AJTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ3E110AJTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.