Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E120ATTB
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.43 грн
6000+ 16.82 грн
9000+ 15.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E120ATTB за ціною від 16.34 грн до 53.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 21539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.86 грн
10+ 40.48 грн
100+ 28.02 грн
500+ 21.98 грн
1000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET -30V P-CHANNEL -12A
на замовлення 81757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.32 грн
10+ 44.15 грн
100+ 27.43 грн
500+ 22.92 грн
1000+ 19.53 грн
3000+ 17.27 грн
6000+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ3E120ATTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ3E120ATTB SMD P channel transistors
товар відсутній