RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.84 грн |
| 6000+ | 18.55 грн |
| 9000+ | 18.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ3E120ATTB за ціною від 19.33 грн до 99.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E120ATTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R |
на замовлення 23995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ3E120ATTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ3E120ATTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R |
на замовлення 15780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ3E120ATTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V |
на замовлення 9999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ3E120ATTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R |
на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ3E120ATTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ3E120ATTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSMT8 P CHAN 30V |
на замовлення 24797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ3E120ATTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -39A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 20W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RQ3E120ATTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -39A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 20W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|