Продукція > ROHM > RQ3E120ATTB
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB ROHM

datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+35.12 грн
500+25.43 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E120ATTB ROHM

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Інші пропозиції RQ3E120ATTB за ціною від 16.91 грн до 91.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.75 грн
10+45.45 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.99 грн
100+32.18 грн
500+23.41 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
на замовлення 14077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+52.64 грн
100+30.10 грн
500+23.33 грн
1000+21.12 грн
3000+18.29 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.01 грн
16+53.40 грн
100+35.12 грн
500+25.43 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.75 грн
10+45.45 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.55 грн
10+48.99 грн
100+32.18 грн
500+23.41 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
на замовлення 14077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.37 грн
10+52.64 грн
100+30.10 грн
500+23.33 грн
1000+21.12 грн
3000+18.29 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.01 грн
16+53.40 грн
100+35.12 грн
500+25.43 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.