Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E120ATTB
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.00 грн
6000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Інші пропозиції RQ3E120ATTB за ціною від 21.84 грн до 97.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor rq3e120attb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.97 грн
368+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor rq3e120attb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 15780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.58 грн
10+45.35 грн
100+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.69 грн
10+50.44 грн
100+33.12 грн
500+24.09 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor rq3e120attb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.12 грн
224+63.36 грн
500+42.05 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
на замовлення 14077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB rq3e120attb-e.pdf
RQ3E120ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+42.97 грн
368+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB rq3e120attb-e.pdf
RQ3E120ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 15780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
247+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.58 грн
10+45.35 грн
100+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.69 грн
10+50.44 грн
100+33.12 грн
500+24.09 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB rq3e120attb-e.pdf
RQ3E120ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+97.12 грн
224+63.36 грн
500+42.05 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
на замовлення 14077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.