| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.93 грн |
| 10+ | 43.50 грн |
| 100+ | 24.66 грн |
| 500+ | 18.84 грн |
| 1000+ | 17.00 грн |
| 3000+ | 16.04 грн |
| 6000+ | 13.47 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RQ3E120BNTB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RQ3E120BNTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)