RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor


datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.49 грн
6000+9.93 грн
9000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E120GNTB за ціною від 13.23 грн до 48.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E120GNTB RQ3E120GNTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 12034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
12+27.36 грн
100+18.62 грн
500+15.05 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB RQ3E120GNTB Виробник : ROHM Semiconductor rq3e120gn-e-1806543.pdf MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 11564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ3E120GNTB SMD N channel transistors
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
57+19.04 грн
156+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.