на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.61 грн |
| 10+ | 34.52 грн |
| 100+ | 22.60 грн |
| 500+ | 17.69 грн |
| 1000+ | 14.31 грн |
| 3000+ | 12.18 грн |
| 9000+ | 11.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 16W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 16W, Bauform - Transistor: HSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ3E130BNTB за ціною від 16.06 грн до 64.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E130BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 16W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
RQ3E130BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ3E130BNTB SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |