Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E180AJTB
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor

rq3e180ajtb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E180AJTB за ціною від 22.69 грн до 88.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E180AJTB RQ3E180AJTB Виробник : Rohm Semiconductor rq3e180ajtb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 13708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.44 грн
10+43.78 грн
100+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB RQ3E180AJTB Виробник : ROHM Semiconductor rq3e180ajtb-e.pdf MOSFETs Nch 30V 18A Middle Power MOSFET
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.29 грн
10+51.19 грн
100+34.63 грн
500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB Виробник : ROHM - Japan rq3e180ajtb-e.pdf MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq3e180ajtb-e.pdf RQ3E180AJTB SMD N channel transistors
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.70 грн
38+28.28 грн
105+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.