RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RQ3E180AJTB за ціною від 22.45 грн до 65.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E180AJTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 72A; 30W; HSMT8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD Case: HSMT8 |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RQ3E180AJTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V |
на замовлення 13613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RQ3E180AJTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 30V 18A Middle Power MOSFET |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RQ3E180AJTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 72A; 30W; HSMT8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD Case: HSMT8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| RQ3E180AJTB | Виробник : ROHM - Japan |
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|