Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E180AJTB1
RQ3E180AJTB1

RQ3E180AJTB1 Rohm Semiconductor

rq3e180ajtb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+38.74 грн
376+37.18 грн
500+35.84 грн
1000+33.43 грн
2500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E180AJTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E180AJTB1 за ціною від 38.46 грн до 120.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E180AJTB1 RQ3E180AJTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.00 грн
10+79.03 грн
100+59.76 грн
500+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB1 RQ3E180AJTB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E180AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.88 грн
10+85.57 грн
100+55.84 грн
500+47.57 грн
1000+42.63 грн
3000+39.78 грн
6000+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB1 RQ3E180AJTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rq3e180ajtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB1 RQ3E180AJTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.