RQ3E180AJTB1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 361+ | 40.92 грн |
| 376+ | 39.28 грн |
| 500+ | 37.87 грн |
| 1000+ | 35.32 грн |
| 2500+ | 31.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
361 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E180AJTB1 Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RQ3E180AJTB1 за ціною від 41.12 грн до 168.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A |
на замовлення 2344 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. |
| RQ3E180AJTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.93 грн |
| 10+ | 95.44 грн |
| 50+ | 72.11 грн |
| 100+ | 60.60 грн |
| 500+ | 48.21 грн |
| RQ3E180AJTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 157.25 грн |
| 134+ | 110.07 грн |
| 200+ | 93.66 грн |
| 500+ | 75.15 грн |
| 1000+ | 65.90 грн |
| RQ3E180AJTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A
MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 168.73 грн |
| 10+ | 80.90 грн |
| 100+ | 62.55 грн |
| 500+ | 49.75 грн |
| 1000+ | 46.42 грн |
| 3000+ | 41.12 грн |
| RQ3E180AJTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)