Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E180AJTB1
RQ3E180AJTB1

RQ3E180AJTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3E180AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.26 грн
10+83.71 грн
100+63.28 грн
500+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E180AJTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E180AJTB1 за ціною від 39.92 грн до 134.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E180AJTB1 RQ3E180AJTB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E180AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.43 грн
10+92.84 грн
100+57.02 грн
500+47.92 грн
1000+45.14 грн
3000+41.61 грн
6000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB1 RQ3E180AJTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.