Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E180BNTB
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor

rq3e180bntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E180BNTB за ціною від 17.17 грн до 47.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ3E180BNTB RQ3E180BNTB Виробник : Rohm Semiconductor rq3e180bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.55 грн
10+ 37.16 грн
100+ 25.73 грн
500+ 20.17 грн
1000+ 17.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ3E180BNTB RQ3E180BNTB Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0008265055_1-2562624.pdf MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.12 грн
10+ 40.87 грн
100+ 27.23 грн
500+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ3E180BNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq3e180bntb-e.pdf RQ3E180BNTB SMD N channel transistors
товар відсутній