Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E180BNTB
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor

rq3e180bntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
10+40.67 грн
100+27.42 грн
500+21.28 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E180BNTB за ціною від 16.00 грн до 44.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E180BNTB RQ3E180BNTB Виробник : ROHM Semiconductor rq3e180bntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.61 грн
10+39.92 грн
100+23.49 грн
500+18.79 грн
1000+17.61 грн
3000+16.59 грн
6000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq3e180bntb-e.pdf RQ3E180BNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB RQ3E180BNTB Виробник : Rohm Semiconductor rq3e180bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.