Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E180GNTB
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor

datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.97 грн
10+46.59 грн
100+28.04 грн
500+23.41 грн
1000+19.96 грн
3000+18.27 грн
6000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E180GNTB за ціною від 21.54 грн до 83.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E180GNTB RQ3E180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.36 грн
10+50.00 грн
100+32.77 грн
500+23.78 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ3E180GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB RQ3E180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.