RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V
на замовлення 92350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.82 грн |
| 6000+ | 9.97 грн |
| 9000+ | 9.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ3G100GNTB за ціною від 10.49 грн до 52.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3G100GNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET |
на замовлення 18354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ3G100GNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ3G100GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V |
на замовлення 92818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ3G100GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ3G100GNTB SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |