Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3G110ATTB
RQ3G110ATTB

RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm.

Інші пропозиції RQ3G110ATTB за ціною від 44.04 грн до 180.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ3G110ATTB RQ3G110ATTB ROHM datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.16 грн
500+55.87 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTB RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+87.50 грн
100+62.05 грн
500+47.61 грн
1000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTB RQ3G110ATTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+101.62 грн
100+62.34 грн
500+51.57 грн
1000+47.43 грн
3000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTB RQ3G110ATTB ROHM datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.41 грн
10+116.78 грн
100+72.16 грн
500+55.87 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTB datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3G110ATTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+72.16 грн
500+55.87 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTB datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3G110ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.36 грн
10+87.50 грн
100+62.05 грн
500+47.61 грн
1000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTB datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3G110ATTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.74 грн
10+101.62 грн
100+62.34 грн
500+51.57 грн
1000+47.43 грн
3000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTB datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3G110ATTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.41 грн
10+116.78 грн
100+72.16 грн
500+55.87 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.