RQ3G120BJFRATCB ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.73 грн |
| 13+ | 64.70 грн |
| 100+ | 50.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3G120BJFRATCB ROHM
Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RQ3G120BJFRATCB за ціною від 32.08 грн до 126.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3G120BJFRATCB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ3G120BJFRATCB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ3G120BJFRATCB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |