на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.01 грн |
| 10+ | 79.54 грн |
| 100+ | 56.15 грн |
| 500+ | 48.25 грн |
| 1000+ | 39.34 грн |
| 3000+ | 36.56 грн |
| 6000+ | 35.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3G150GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8, Case: HSMT8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 24.1nC, On-state resistance: 8.9mΩ, Power dissipation: 20W, Drain current: 39A, Pulsed drain current: 60A.
Інші пропозиції RQ3G150GNTB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3G150GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
RQ3G150GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
товару немає в наявності |
|
| RQ3G150GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8 Case: HSMT8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 24.1nC On-state resistance: 8.9mΩ Power dissipation: 20W Drain current: 39A Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |