Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3L070ATTB
RQ3L070ATTB

RQ3L070ATTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.01 грн
6000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3L070ATTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.

Інші пропозиції RQ3L070ATTB за ціною від 35.90 грн до 140.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ3L070ATTB RQ3L070ATTB ROHM datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.40 грн
500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTB RQ3L070ATTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 10467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+86.53 грн
100+58.06 грн
500+49.15 грн
1000+40.04 грн
3000+37.69 грн
6000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTB RQ3L070ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 7279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.82 грн
100+55.29 грн
500+41.22 грн
1000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTB RQ3L070ATTB ROHM datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
10+89.40 грн
100+60.40 грн
500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTB datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3L070ATTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+60.40 грн
500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTB datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3L070ATTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 10467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+106.31 грн
10+86.53 грн
100+58.06 грн
500+49.15 грн
1000+40.04 грн
3000+37.69 грн
6000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTB datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3L070ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 7279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.80 грн
10+81.82 грн
100+55.29 грн
500+41.22 грн
1000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTB datasheet?p=RQ3L070AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3L070ATTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+140.14 грн
10+89.40 грн
100+60.40 грн
500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.