Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3L090GNTB
RQ3L090GNTB

RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3L090GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RQ3L090GNTB за ціною від 33.93 грн до 100.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3L090GNTB RQ3L090GNTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3L090GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 60V 30A Middle Power MOSFET
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.73 грн
10+63.42 грн
100+41.65 грн
500+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L090GNTB RQ3L090GNTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3L090GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
на замовлення 17670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.48 грн
10+61.91 грн
100+41.88 грн
500+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L090GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3L090GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ3L090GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.