Продукція > ROHM > RQ3L120BKFRATCB
RQ3L120BKFRATCB

RQ3L120BKFRATCB ROHM


Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3L120BKFRATCB ROHM

Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RQ3L120BKFRATCB за ціною від 26.93 грн до 98.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3L120BKFRATCB RQ3L120BKFRATCB ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.34 грн
10+64.30 грн
100+43.46 грн
500+36.92 грн
1000+32.49 грн
3000+27.57 грн
6000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BKFRATCB RQ3L120BKFRATCB ROHM Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.46 грн
14+62.52 грн
100+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BKFRATCB
RQ3L120BKFRATCB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.34 грн
10+64.30 грн
100+43.46 грн
500+36.92 грн
1000+32.49 грн
3000+27.57 грн
6000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BKFRATCB
RQ3L120BKFRATCB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.46 грн
14+62.52 грн
100+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.