Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3L270BJFRATCB
RQ3L270BJFRATCB

RQ3L270BJFRATCB Rohm Semiconductor

rq3l270bjfratcb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3L270BJFRATCB Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RQ3L270BJFRATCB за ціною від 32.75 грн до 151.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3L270BJFRATCB RQ3L270BJFRATCB Виробник : Rohm Semiconductor rq3l270bjfratcb-e.pdf Description: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.05 грн
10+81.36 грн
100+54.26 грн
500+41.66 грн
1000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BJFRATCB RQ3L270BJFRATCB Виробник : ROHM Semiconductor rq3l270bjfratcb-e.pdf MOSFETs Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.42 грн
10+94.59 грн
100+54.86 грн
500+44.97 грн
1000+40.67 грн
3000+34.56 грн
6000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.