RQ3L270BLFRATCB ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3L270BLFRATCB ROHM
Description: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm.
Інші пропозиції RQ3L270BLFRATCB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3L270BLFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RQ3L270BLFRATCB |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)