RQ3N025ATTB1 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3N025ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 7 A, 0.24 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3N025ATTB1 ROHM
Description: ROHM - RQ3N025ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 7 A, 0.24 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 14W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Інші пропозиції RQ3N025ATTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3N025ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RQ3N025ATTB1 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET
MOSFETs Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)