Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3N060ATTB1
RQ3N060ATTB1

RQ3N060ATTB1 Rohm Semiconductor

rq3n060attb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.43 грн
10+89.82 грн
100+60.71 грн
500+45.27 грн
1000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3N060ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V.

Інші пропозиції RQ3N060ATTB1 за ціною від 40.56 грн до 158.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3N060ATTB1 RQ3N060ATTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rq3n060attb1-e.pdf MOSFETs HSMT8 P-CH 80V 6A
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.65 грн
10+100.41 грн
100+60.19 грн
500+51.00 грн
1000+42.65 грн
3000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3N060ATTB1 RQ3N060ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rq3n060attb1-e.pdf Description: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.