Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3P045ATTB1
RQ3P045ATTB1

RQ3P045ATTB1 Rohm Semiconductor

rq3p045attb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.36 грн
10+103.35 грн
100+71.26 грн
500+53.51 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3P045ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RQ3P045ATTB1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ3P045ATTB1 RQ3P045ATTB1 ROHM Semiconductor rq3p045attb1-e.pdf MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1 RQ3P045ATTB1 ROHM rq3p045attb1-e.pdf Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1 RQ3P045ATTB1 ROHM rq3p045attb1-e.pdf Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1 rq3p045attb1-e.pdf
RQ3P045ATTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1 rq3p045attb1-e.pdf
RQ3P045ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1 rq3p045attb1-e.pdf
RQ3P045ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.