RQ5A020ZPTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 23.11 грн |
| 500+ | 15.03 грн |
| 1000+ | 12.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5A020ZPTL ROHM
Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.
Інші пропозиції RQ5A020ZPTL за ціною від 9.94 грн до 57.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ5A020ZPTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RQ5A020ZPTL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -2.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive) |
на замовлення 2713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RQ5A020ZPTL | ROHM |
Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 4713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RQ5A020ZPTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.03 грн |
| 10+ | 31.19 грн |
| 100+ | 20.12 грн |
| 500+ | 14.41 грн |
| 1000+ | 12.96 грн |
| RQ5A020ZPTL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -2.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -2.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.04 грн |
| 10+ | 32.95 грн |
| 100+ | 18.50 грн |
| 500+ | 14.15 грн |
| 1000+ | 12.70 грн |
| 3000+ | 10.84 грн |
| 6000+ | 9.94 грн |
| RQ5A020ZPTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 57.51 грн |
| 23+ | 35.84 грн |
| 100+ | 23.11 грн |
| 500+ | 15.03 грн |
| 1000+ | 12.50 грн |



